作为PCM存储器的积极倡导者，恒忆公司一直坚信，PCM存储器将是传统电荷存储器的终结者。

早在去年年底我们在恒忆的一次新闻发布会上就和恒忆亚洲区嵌入式业务及渠道销售副总裁龚翊女士一起交流了PCM存储器的状况和前景。当时我们聊到在市场应用上，相变存储器虽然好评不断呼声很高，但其发展进程仍受到一定制约，有待自身性能的完善以及市场接受度的提高，而其中技术关键点在于存储容量的突破以及适用温度范围的拓展上。

近日，恒忆宣布其PCM存储器的开发进程取得重大进展，并发布全新的PCM存储器产品Omneo™系列，这一系列的存储器产品定位于嵌入式应用市场，此次推出的新产品包括支持串行外设接口（SPI）的存储器(Omneo™ P5Q PCM)和支持并行NOR接口的存储器(Omneo™ P8P PCM)。这两款新产品均是基于90nm工艺、8英寸制程的128M存储器，其中P5Q支持覆写功能，即无需像传统存储器那样在重新写入数据时要经过写和擦除原有数据的两个步骤，而是直接写入新数据即可，这样大大缩短了写入的时间，简化了开发人员的软件设计，也使存储器的耐写次数达到100万次，是普通闪存的10倍之多；P8P存储器的推出，将并口相变存储器的耐写次数由第一代的10万次提高到了100万次。

下面举例来说明P5Q存储器在应用中的优势。

在应用中，一个典型的消费电子产品通常要使用串口EEPROM来保存配置数据，因为这里需要EEPROM的字节修改功能，同时还需要NOR闪存来保存应用固件，而P5Q的一个好处是可以整合闪存和EEPROM。如在数字机顶盒应用中，完全可以用一个128M的P5Q存储器将由一个128M闪存和2个1Mbit EEPROM完成的功能合二为一，从而降低物料成本和电路板布板空间。

                                           P5Q应用优势

                                    P8P应用优势

而P8P存储器的覆写和耐写能力使其在应用中可替代带备用电池的RAM以及NOR闪存。

恒忆亚太区嵌入式业务总经理徐宏来

恒忆亚太区嵌入式业务总经理徐宏来表示，目前公司对相变存储器的开发进程正不断加快，计划在2012年实现45nm工艺的全面技术提升，届时随着接口技术的提升，非易失性DDR性能将被加入，从而使PCM存储器向大容量存储的应用方向快速推进，预计PCM存储器的市场总规模将扩大到10亿美元以上。而45nm工艺的采用，也可以进一步改善PCM存储器的工作温度范围，为更广泛的应用提供性能保障。在交流中，徐经理并不讳言，PCM存储器要进入大规模量产还面临一个被更多工艺厂商接受的问题，因为这种新材料存储器的制造需要工艺商对原有生产线做很好的隔离和防污染，以避免对原有硅工艺造成侵害，而他同时也表示，因为PCM存储器革命性的创新和其不可逆转的市场领导者趋势，其市场容量的日益扩大，更多的工艺厂商接受并开始为这种存储器产品布设生产线也是个必然。

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